1、一萬歐姆?；魻栐菓?yīng)用霍爾效應(yīng)的半導(dǎo)體，指磁場作用于載流金屬導(dǎo)體、半導(dǎo)體中的載流子時(shí)，產(chǎn)生橫向電位差的物理現(xiàn)象。金屬的霍爾效應(yīng)廣泛，是因金屬的霍爾效應(yīng)較明顯，用金屬制作的霍爾元件在磁場中處于不同位置就能得到相應(yīng)的轉(zhuǎn)動電壓輸出。
1、霍爾效應(yīng)載流子濃度不是固定的值，霍爾效應(yīng)載流子濃度為0.968（×1021/m3）。
2、eEH=eVB （1）設(shè)試樣的寬為b，厚度為d，載流子濃度為n ，則：IS=nevbd（2）由（1）、（2）式可得：霍爾電勢差UH=EHb=（1/ne）（ISB/d）=RH（ISB/d）RH=1/ne是材料的霍爾系數(shù)，它是反映材料霍爾效應(yīng)強(qiáng)弱的重要參數(shù)。
3、材料的導(dǎo)電類型會影響霍爾系數(shù)的正負(fù)，例如，N型半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)通常為負(fù)，而P型半導(dǎo)體的霍爾系數(shù)則為正。同時(shí)，載流子濃度和遷移率也會影響霍爾系數(shù)的大小。在金屬中，由于載流子密度高，霍爾系數(shù)通常較??；而在半導(dǎo)體中，由于載流子濃度低、遷移率也較低，霍爾系數(shù)可能較大。
1、那怎么區(qū)分它們呢？其實(shí)在購買時(shí)，最直接的方式就是看供應(yīng)商的規(guī)格說明。通常，供應(yīng)商會明確標(biāo)注材料是n型還是p型，還有摻雜的元素和濃度。比如，硅可以摻雜磷（P）來制成n型半導(dǎo)體，或者摻雜硼（B）來制成p型半導(dǎo)體。
2、P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的主要區(qū)別在于其導(dǎo)電特性及摻雜元素的不同。P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體是半導(dǎo)體材料的兩種基本類型，它們在電子特性和摻雜元素上有所區(qū)別。P型半導(dǎo)體： 導(dǎo)電特性：P型半導(dǎo)體內(nèi)部存在較多的空穴，這些空穴攜帶正電荷，導(dǎo)致材料具有較小的電子移動性，因此其導(dǎo)電性相對較弱。
3、摻雜材料不同：P型和N型單晶硅片中，摻雜的材料不同。P型單晶硅片中摻雜的是三價(jià)元素（如硼或鋁），摻雜后形成的雜質(zhì)原子會失去一個(gè)電子，留下一個(gè)空位或“空穴”。而N型單晶硅片中摻雜的是五價(jià)元素（如磷或砷），摻雜后形成的雜質(zhì)原子會多余一個(gè)電子，成為自由電子。
4、導(dǎo)電不同：N型是電子導(dǎo)電，P型是空穴導(dǎo)電。摻雜的東西不同：單晶硅中摻磷是N型，單晶硅中摻硼為P型。性能不同：N型摻磷越多則自由電子越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，電阻率就越低。P型摻硼越多則能置換硅產(chǎn)生的空穴也越多，導(dǎo)電能力越強(qiáng)，電阻率就越低。
1、半導(dǎo)體材料的霍爾系數(shù)通常處于10-3的數(shù)量級。具體來說，霍爾系數(shù)是衡量半導(dǎo)體中自由載流子濃度及其遷移率的重要參數(shù)。它能夠反映半導(dǎo)體材料的電導(dǎo)性質(zhì)和載流子的特性。在實(shí)際應(yīng)用中，不同類型的半導(dǎo)體材料，其霍爾系數(shù)會有顯著差異。
2、那要根據(jù)你產(chǎn)品的類型來分，一般大學(xué)試驗(yàn)中的半導(dǎo)體霍爾系數(shù)大約為10的三次方數(shù)量級 。
3、霍爾系數(shù)的數(shù)量級是多少 我來答 1個(gè)回答 #熱議# 你見過哪些90后家長教育孩子的“神操作”？匿名用戶 2013-05-17 展開全部 霍爾元件應(yīng)用的基本原理是霍爾效應(yīng)?；魻栃?yīng)是一種磁敏效應(yīng)，一般在半導(dǎo)體薄片的長度X方向上施加磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的磁場，則在寬度Y方向上會產(chǎn)生電動勢UH，這種現(xiàn)象即稱為霍爾效應(yīng)。
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