1、判斷三極管好壞的方法是利用萬(wàn)用表來進(jìn)行測(cè)試。首先，將萬(wàn)用表設(shè)置為x1K歐姆擋。接著，用黑表筆接觸三極管的基極，分別測(cè)量基極與發(fā)射極、基極與集電極之間的電阻。在正常情況下，這兩種情況下的電阻值應(yīng)均為千歐，若為鍺管，則阻值約為1k歐，若為硅管，則阻值約為7k歐。
具體操作步驟如下： 首先，使用萬(wàn)用表的黑表筆連接到三極管的發(fā)射極（e）。 然后，將紅表筆連接到三極管的基極（b），此時(shí)萬(wàn)用表會(huì)顯示一個(gè)數(shù)值，這即為hFE。 接下來，將紅表筆移動(dòng)到三極管的集電極（c），此時(shí)萬(wàn)用表會(huì)顯示另一個(gè)數(shù)值，這即為hfe。
hfe是指晶體管的直流放大倍數(shù)，是指集電極電流和基極電流之比的大小，通常稱為β值。測(cè)量hfe的方法可以使用三極管測(cè)試儀，它可以提供準(zhǔn)確且可重復(fù)的測(cè)量結(jié)果。以下是一些可能的測(cè)量步驟：將三極管與測(cè)試夾具連接，并將電路板連接到測(cè)試儀上。調(diào)整測(cè)試夾具的壓力和位置以確保接觸良好。
要使用萬(wàn)用表來測(cè)量HFE，首先你需要正確識(shí)別三極管的三個(gè)引腳，通常它們分別標(biāo)記為基極（b），集電極（c），和發(fā)射極（e）。將三極管的這些極分別插入萬(wàn)用表相應(yīng)的插孔，然后萬(wàn)用表的屏幕上會(huì)顯示出這個(gè)特定三極管的電流放大倍數(shù)，這個(gè)數(shù)值對(duì)于理解三極管在電路中的行為和性能至關(guān)重要。
HFE在萬(wàn)用表中是用于測(cè)量晶體三極管電流放大倍數(shù)的功能檔。使用HFE檔時(shí)，需要注意以下幾點(diǎn)：確定三極管類型：首先要確定被測(cè)三極管是PNP型還是NPN型，這是至關(guān)重要的一步。識(shí)別引腳極性：需要弄清三極管各腳的極性，以確保正確插入萬(wàn)用表的三極管插座。
使用HFE檔測(cè)量三極管放大倍數(shù)時(shí)，需按照以下步驟操作： 選擇合適的量程：根據(jù)待測(cè)三極管類型，選擇合適的量程。通常，萬(wàn)用表的HFE檔會(huì)有多個(gè)量程可選，以適應(yīng)不同放大倍數(shù)的三極管。 插入三極管：將三極管正確插入到萬(wàn)用表的測(cè)試插座中，確保三個(gè)引腳與測(cè)試插孔對(duì)應(yīng)。
首先，要明確hFE是指晶體管的直流放大倍數(shù)，它反映了晶體管在放大狀態(tài)時(shí)，基極電流變化與集電極電流變化之間的比值。這是檢測(cè)晶體管性能的重要指標(biāo)。在具體操作時(shí)，需要先將萬(wàn)用表的旋鈕撥到hFE位置，然后根據(jù)待測(cè)晶體管的類型選擇相應(yīng)的測(cè)量模式。
關(guān)于3DD13001三極管的檢測(cè)方法，主要包括以下幾點(diǎn)：管腳識(shí)別：封裝為TO251的3DD13001，管腳排列特點(diǎn)為有字的一側(cè)面向自己時(shí)，基極為1腳、集電極為2腳、發(fā)射極為3腳?；拘阅軠y(cè)試：集電極基極反向擊穿電壓BVCBO測(cè)試：需要專業(yè)設(shè)備測(cè)量在集電極開路情況下，基極與集電極之間的反向擊穿電壓，應(yīng)大于600V。
方法是將萬(wàn)用表設(shè)置為R×100或R×1k擋位，然后測(cè)量三極管三個(gè)電極中的任意兩個(gè)之間的正、反向電阻值。如果第一根表筆接的一個(gè)電極，而第二根表筆分別接觸其他兩個(gè)電極時(shí)均測(cè)得低阻值，那么這個(gè)電極就是基極b。
使用萬(wàn)用表檢測(cè)13001三極管時(shí)，只能進(jìn)行大致判斷。對(duì)于需要配對(duì)使用的三極管，最好使用圖示儀。具體操作方法是，將萬(wàn)用表調(diào)至R*1K檔位，黑表筆隨意連接一個(gè)管腳，紅表筆連接剩余的兩個(gè)管腳，通過比較讀數(shù)來確定哪個(gè)管腳為基極。
先將三個(gè)管腳插到測(cè)試儀相應(yīng)的孔位，調(diào)整一個(gè)集電極負(fù)載，調(diào)整一個(gè)集電極電流，切換到這個(gè)三極管上測(cè)試，圖形就出來了。
BJ4814型半導(dǎo)體特性圖示儀的x軸有基極電壓調(diào)節(jié)和二極管電壓范圍。而wq4832沒有那些，會(huì)影響他的測(cè)試嗎？ 展開 我來答 分享 微信掃一掃 網(wǎng)絡(luò)繁忙請(qǐng)稍后重試 新浪微博 QQ空間 舉報(bào) 瀏覽1172 次 可選中1個(gè)或多個(gè)下面的關(guān)鍵詞，搜索相關(guān)資料。也可直接點(diǎn)“搜索資料”搜索整個(gè)問題。
選中5KV AC把二極管放在測(cè)試臺(tái)上，在功耗電阻的那個(gè)下面。按左下角的一個(gè)高壓輸出鍵，調(diào)整電壓。
1、設(shè)置簡(jiǎn)單，操作便捷。T3Ster只需一次接線，一次測(cè)試即可獲取穩(wěn)態(tài)結(jié)溫?zé)嶙钄?shù)據(jù)，亦可獲取結(jié)溫隨時(shí)間變化的瞬態(tài)曲線。 數(shù)據(jù)穩(wěn)定，測(cè)試結(jié)果復(fù)現(xiàn)性強(qiáng)。采用JESD51-1和JESD51-14標(biāo)準(zhǔn)，結(jié)合最新的熱瞬態(tài)測(cè)試界面法，提供高準(zhǔn)確性和可重復(fù)性，方便比較各種器件的結(jié)殼熱阻，同樣適用于熱界面材料的特性表征。
2、該儀器的特點(diǎn)在于其多通道配置，只需少量測(cè)試即可覆蓋大多數(shù)封裝類型，其溫度測(cè)量能力強(qiáng)大，可達(dá)0.01°C，使用二極管傳感器，具有2mV/°C的靈敏度。測(cè)試啟動(dòng)時(shí)間僅需1微秒。與傳統(tǒng)測(cè)試系統(tǒng)不同，T3Ster直接測(cè)量封裝半導(dǎo)體設(shè)備的熱瞬態(tài)反應(yīng)，而非組合單一反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了更直觀的熱阻抗測(cè)試。
3、提升產(chǎn)品可靠性需要提升設(shè)備和元件的耐熱性能，以及優(yōu)化散熱設(shè)計(jì)。在這個(gè)過程中，獲取器件封裝的熱特性參數(shù)是關(guān)鍵。T3Ster作為一款先進(jìn)的熱特性測(cè)試儀器，能在短時(shí)間內(nèi)提供各類封裝的熱特性數(shù)據(jù)。
4、利用電壓擬合曲線計(jì)算結(jié)溫變化；與未升溫前的環(huán)境溫度計(jì)算結(jié)溫差，結(jié)合功率得出結(jié)環(huán)熱阻。熱阻測(cè)試設(shè)備T3Ster采用mentor的瞬態(tài)測(cè)試儀，符合JEDEC51-14標(biāo)準(zhǔn)，實(shí)現(xiàn)JEDEC51-1靜態(tài)測(cè)試，具有1μs的采樣率、1μs高速電源切換和最小電壓分辨率12μV。該設(shè)備運(yùn)用結(jié)構(gòu)函數(shù)分析內(nèi)部構(gòu)造，支持多種熱阻測(cè)試。
5、Micred T3Ster半導(dǎo)體器件封裝熱特性測(cè)試儀器等服務(wù)。其T3Ster熱阻測(cè)試儀可用于半導(dǎo)體器件結(jié)溫?zé)嶙锜崛轀y(cè)量、界面材料熱特性測(cè)量、半導(dǎo)體器件老化實(shí)驗(yàn)分析和封裝缺陷診斷。以上產(chǎn)品和服務(wù)已上線世強(qiáng)先進(jìn)的電商平臺(tái)——世強(qiáng)硬創(chuàng)，客戶可點(diǎn)擊「鏈接」進(jìn)入平臺(tái)搜索，免費(fèi)獲取官方樣品、技術(shù)資料等。
利用萬(wàn)用表來測(cè)量。如果是PNP晶體管，那么將晶體管的集電極（c）和基極（b）放在萬(wàn)用表兩端測(cè)量即可。如果是NPN晶體管，那么將晶體管的發(fā)射極（e）和基極（b）放在萬(wàn)用表兩端測(cè)量即可。當(dāng)然，放大倍數(shù)分為交流放大倍數(shù)和直流放大倍數(shù)，在測(cè)量的時(shí)候一定要注意將萬(wàn)用表調(diào)到相應(yīng)的直流檔或交流檔。
hfe是指晶體管的直流放大倍數(shù)，是指集電極電流和基極電流之比的大小，通常稱為β值。測(cè)量hfe的方法可以使用三極管測(cè)試儀，它可以提供準(zhǔn)確且可重復(fù)的測(cè)量結(jié)果。以下是一些可能的測(cè)量步驟：將三極管與測(cè)試夾具連接，并將電路板連接到測(cè)試儀上。調(diào)整測(cè)試夾具的壓力和位置以確保接觸良好。
選擇合適的量程：根據(jù)待測(cè)三極管類型，選擇合適的量程。通常，萬(wàn)用表的HFE檔會(huì)有多個(gè)量程可選，以適應(yīng)不同放大倍數(shù)的三極管。 插入三極管：將三極管正確插入到萬(wàn)用表的測(cè)試插座中，確保三個(gè)引腳與測(cè)試插孔對(duì)應(yīng)。 選擇測(cè)試模式：大多數(shù)萬(wàn)用表在HFE檔會(huì)有不同的測(cè)試模式，根據(jù)需要選擇合適的模式。
通常情況下，晶體管的電流放大倍數(shù)也可以通過測(cè)量集電極電流和基極電流來計(jì)算。首先測(cè)量基極電流Ib，然后測(cè)量對(duì)應(yīng)的集電極電流Ic，最后用Ic除以Ib即可得到電流放大倍數(shù)β。另外，晶體管的電流放大倍數(shù)也可以通過晶體管的參數(shù)來計(jì)算，比如通過查找晶體管的數(shù)據(jù)手冊(cè)，可以找到其參數(shù)，并利用這些參數(shù)計(jì)算電流放大倍數(shù)。
本文暫時(shí)沒有評(píng)論，來添加一個(gè)吧(●'?'●)