浪涌測試方法分為直接耦合法，即直接連接浪涌發(fā)生器與設(shè)備，以及間接耦合法，通過耦合裝置傳遞浪涌信號(hào)。在進(jìn)行測試時(shí)，確保使用符合標(biāo)準(zhǔn)的測試儀器并進(jìn)行校準(zhǔn)，同時(shí)保持測試環(huán)境穩(wěn)定，如控制溫度和濕度，以減少環(huán)境影響。此外，測試過程必須有充分的安全防護(hù)措施，以防止安全事故。
1、總的來說，浪涌測試主要關(guān)注設(shè)備對(duì)瞬態(tài)電壓浪涌的耐受能力，而高壓測試主要關(guān)注設(shè)備在額定工作電壓下的絕緣性能。兩種測試方法的目的和測試對(duì)象略有不同，但都是為了確保電氣設(shè)備的安全性和可靠性。在實(shí)際應(yīng)用中，根據(jù)具體的測試需求和標(biāo)準(zhǔn)要求，可以選擇適合的測試方法進(jìn)行測試。
2、浪涌測試是電氣安全測試的一種，依據(jù)IEC 61000-4-5和GB/T 17625標(biāo)準(zhǔn)，模擬電網(wǎng)電壓瞬間突升（即浪涌電壓），評(píng)估電子設(shè)備在異常電壓情況下是否能保持正常工作和避免損壞。下面是工作中常見的問題及其解供參考。問：為何要進(jìn)行浪涌測試？電網(wǎng)中可能因雷擊、開關(guān)操作或其他電氣故障產(chǎn)生電壓浪涌。
3、浪涌測試是一項(xiàng)關(guān)鍵的設(shè)備評(píng)估，它根據(jù)電壓強(qiáng)度分為五個(gè)等級(jí)，從1級(jí)到X級(jí)，其中X級(jí)為特別開放級(jí)，對(duì)應(yīng)不同的電壓閾值。選擇測試等級(jí)取決于環(huán)境因素和設(shè)備的保護(hù)需求，例如，1級(jí)適用于工廠控制室等保護(hù)良好的環(huán)境，而4級(jí)適用于嚴(yán)重電磁干擾的民用架空線和未加防護(hù)的高壓變電所。
4、浪涌測試在光模塊測試中具有重要意義。它能夠評(píng)估光模塊在遭受瞬時(shí)高壓沖擊時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性。測試時(shí)，光模塊會(huì)被置于特定的高壓環(huán)境下，以模擬實(shí)際使用中可能出現(xiàn)的極端情況。通過觀察浪涌電流的變化，可以判斷光模塊在遭受浪涌沖擊時(shí)的響應(yīng)特性，從而確保其在復(fù)雜環(huán)境中的正常工作。
5、浪涌測試的要求主要包括精確的等級(jí)選擇和確保安全的操作步驟，測試方法則涉及一系列專業(yè)的操作。要求： 等級(jí)選擇：浪涌測試根據(jù)電壓強(qiáng)度分為五個(gè)等級(jí)，從1級(jí)到X級(jí)。選擇測試等級(jí)需考慮環(huán)境因素和設(shè)備的保護(hù)需求，如1級(jí)適用于保護(hù)良好的環(huán)境，而4級(jí)適用于嚴(yán)重電磁干擾的場所。
6、c. 使用示波器配高壓探頭測量浪涌電壓空載輸出，黑夾子接浪涌儀負(fù)極。示波器設(shè)置為采樣、全帶寬、直流耦合，時(shí)基設(shè)定為10ms或更低，觸發(fā)模式改為正常，觸發(fā)電平調(diào)至5kV，按下Single進(jìn)行單次觸發(fā)。d. 啟動(dòng)浪涌測試儀，設(shè)定測試電壓為10kV，執(zhí)行一次。
1、測試要求：電源端所有相線和零線短接，天線端正負(fù)端短接或可能連接天線的電源輸出端短接。設(shè)定浪涌測試次數(shù)為50次，速率不超過12次/分，啟動(dòng)測試。判斷浪涌試驗(yàn)是否達(dá)標(biāo)，需通過絕緣電阻測試或抗點(diǎn)強(qiáng)度測試。
2、浪涌測試是一種針對(duì)電子產(chǎn)品，特別是帶天線產(chǎn)品，在極端環(huán)境下性能和安全性的關(guān)鍵測試。以下是浪涌測試的詳細(xì)介紹：測試目的：確保設(shè)備在遭受浪涌電壓沖擊時(shí)，能夠保持正常工作或至少不會(huì)受到嚴(yán)重?fù)p害。所需設(shè)備：示波器：用于捕捉和分析電壓波形。浪涌試驗(yàn)儀：核心測試設(shè)備，用于產(chǎn)生模擬的浪涌電壓。
3、測試目的： 評(píng)估電氣和電子設(shè)備在遭受浪涌沖擊時(shí)的抗擾度。 測試波形： 模擬2/50us電壓波形和8/20us電流波形，以及組合波進(jìn)行試驗(yàn)。 測試等級(jí)： 分為1至4級(jí)及X級(jí)，等級(jí)依據(jù)電壓強(qiáng)度嚴(yán)格程度進(jìn)行劃分。 X級(jí)為用戶和制造商商定的特別級(jí)。
4、浪涌測試是一種重要的電氣特性測試，用于評(píng)估電器設(shè)備在電力系統(tǒng)中受浪涌電流沖擊時(shí)的耐受能力。浪涌電流是突然產(chǎn)生的高峰電流，通常發(fā)生在電源開關(guān)、閘門驅(qū)動(dòng)器和電力設(shè)備開關(guān)斷路器等關(guān)鍵組件開關(guān)操作時(shí)，也可能由于雷電、電力負(fù)荷開關(guān)等因素產(chǎn)生。浪涌測試主要用于檢測設(shè)備的穩(wěn)定性、耐受能力和安全性。
1、- 非常規(guī)設(shè)計(jì)策略： - 利用工藝優(yōu)勢，如Deep N-Well隔離、浮阱設(shè)計(jì)等，提供更為全面的保護(hù)。 - 輸出級(jí)掛載電阻，進(jìn)一步增強(qiáng)電路對(duì)Latch-up的抵抗力。通過深入了解Latch-up的測試流程和預(yù)防措施，可以為汽車電子系統(tǒng)提供更堅(jiān)固的基石，確保其在各種情況下都能保持穩(wěn)定和高效。
2、Latch-up測試流程詳解 遵循標(biāo)準(zhǔn)JESD78E，Latch-up測試分為兩個(gè)部分：電流測試（I-test）和電壓測試（V-test）。I-test分為正向注入和負(fù)向抽取，分別模擬浪涌電壓對(duì)非電源和電源端口的影響。V-test則測試電源浪涌引發(fā)的PN結(jié)擊穿風(fēng)險(xiǎn)。表一列舉了不同測試條件，MSV表示最大允許工作電壓。
3、Latch-up是一種在體CMOS集成電路上固有的現(xiàn)象，電路在特定條件下被觸發(fā)，形成低阻通路，并產(chǎn)生大電流。在這種正反饋?zhàn)饔孟?，Latch-up會(huì)導(dǎo)致CMOS集成電路無法正常工作，甚至造成芯片的損壞。這一效應(yīng)是由于NMOS有源區(qū)、P襯底、N阱和PMOS有源區(qū)共同組成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的。
本文暫時(shí)沒有評(píng)論，來添加一個(gè)吧(●'?'●)