1、四探針電阻測試儀的工作原理主要基于四探針直線測量和四探針方塊測量。 四探針直線測量: 探針布局:四探針測試儀采用兩對探針,分別用于注入電流和測量電壓。 電流路徑:通過交替接觸被測樣品的不同位置,形成一個虛擬的電流路徑。
四探針測試儀的使用說明如下:設(shè)備連接與開機(jī) 連接電纜與電源:首先,確保測試探頭電纜已正確連接到主機(jī)上,然后接上電源。這是使用四探針測試儀的第一步,確保設(shè)備能夠正常供電并啟動。進(jìn)入測試界面 等待開機(jī)界面:儀器接通電源后,會顯示開機(jī)界面“-J-H-”。請耐心等待幾秒鐘,直到儀器自動進(jìn)入測試界面。
受樣品表面狀態(tài)影響:樣品的表面狀態(tài)(如平整度、劃痕等)可能會影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此,在測量前需要對樣品進(jìn)行必要的處理。對探針的要求較高:探針的材質(zhì)、形狀和間距等因素都會影響測量結(jié)果的準(zhǔn)確性。因此,需要選擇高質(zhì)量的探針,并定期對其進(jìn)行校準(zhǔn)和維護(hù)。
測試原理高溫四探針測試儀采用四探針雙電組合測量方法,通過測量樣品表面的電位差和電流,計算出樣品的電阻率。在高溫環(huán)境下,隨著溫度的升高,純銅材料的原子熱運(yùn)動加劇,導(dǎo)致電阻率發(fā)生變化。通過測量不同溫度下的電阻率,可以計算出電阻率隨溫度變化的系數(shù)。
四探針法是一種非接觸式測量方法,通過施加電流并測量電壓來計算電阻率。測試儀通常由四個金屬探針組成,這些探針以一字形排列。在測量過程中,其中一個探針作為電流源,另一個探針作為電壓測量電極,另外兩個探針則用于測量電流和電壓。通過精確控制電流源和測量電壓,可以計算出半導(dǎo)體材料的電阻率。
四探針電阻測試儀的使用要求 探頭邊緣到材料邊緣的距離:為了確保測量的準(zhǔn)確性,探頭邊緣到材料邊緣的距離應(yīng)遠(yuǎn)大于探針間距,一般要求10倍以上。這是為了避免邊緣效應(yīng)對測量結(jié)果的影響。探針頭之間的距離:探針頭之間的距離應(yīng)相等,否則就會產(chǎn)生等比例測試誤差。
通過調(diào)整In2O3與Sn2O的比例,可以控制這兩者的平衡,以優(yōu)化性能。在實際應(yīng)用中,高檔STN液晶顯示屏使用的ITO玻璃其方阻約為10歐姆/平方厘米,膜厚在100-200微米,而低檔TN產(chǎn)品則相應(yīng)較高,方阻在100-300歐姆/平方厘米,膜厚更薄。為了精確評估ITO薄膜的導(dǎo)電性能,四探針電阻測試儀是一種常用工具。
1、四探針測試儀是一種廣泛采用的標(biāo)準(zhǔn)設(shè)備,用于測量半導(dǎo)體材料的電阻率。其測量原理基于四探針法,該方法具有設(shè)備簡單、操作方便、精確度高以及對樣品幾何尺寸無嚴(yán)格要求等優(yōu)點。以下是對四探針測試儀測量電阻率的詳細(xì)解釋:四探針測試原理 四探針測試原理是基于電流在導(dǎo)體中的分布規(guī)律。
2、四探針方塊電阻測量儀是專為薄層電阻率(Sheet Resistivity)測量設(shè)計的四點探針電阻測量儀器。它能夠滿足各種材料的薄層電阻率測量需求,包括但不限于IV族半導(dǎo)體、金屬和化合物半導(dǎo)體,以及平板顯示器和硬盤中發(fā)現(xiàn)的新材料。
3、高溫四探針電阻率測試純銅材料溫變系數(shù)約為0.0048/℃。在進(jìn)行純銅材料溫變系數(shù)的測量時,高溫四探針電阻率測試方法是一種常用的技術(shù)手段。該方法通過將樣品加熱到一定溫度,并測量其在不同溫度下的電阻率,從而計算出電阻率隨溫度變化的系數(shù)。
4、四探針電阻率/方阻測試儀是針對半導(dǎo)體材料,如硅單晶、鍺單晶和硅片,設(shè)計的精密電阻率測量設(shè)備。該設(shè)備的主體部分包括主機(jī)、測試架和四探針頭,其特色在于搭載了雙數(shù)字表設(shè)計——一個用于電阻率測量,另一個用于實時監(jiān)控電橋電流,以保證測量的高精度。
雙電測測量原理是雙電測四探針測試儀的測量基礎(chǔ)。該原理通過采用四探針雙位組合測量技術(shù),將范德堡測量方法推廣應(yīng)用到四探針上。具體過程如下:測量模式:雙電測組合四探針法采用了兩種組合的測量模式,即IV和IV。
四探針原理即雙電測測量原理是通過巧妙運(yùn)用電流與電壓探針的組合,實現(xiàn)對材料電阻特性的高精度測量。具體原理及步驟如下:探針組合與測量:電流與電壓探針配置:雙電測四探針測試方法使用四根探針,其中兩根用于通入電流,另外兩根用于測量電壓。
雙電測四探針測試儀測量原理基于四探針技術(shù),采用四探針雙位組合測量,將范德堡測量方法應(yīng)用其中。通過電流探針與電壓探針組合變換進(jìn)行兩次電測量,最終計算結(jié)果自動消除樣品幾何尺寸、邊界效應(yīng)、探針不等距及機(jī)械游移等因素對測量結(jié)果的影響。
雙電測四探針測試方法通過巧妙運(yùn)用電流與電壓探針的組合,實現(xiàn)了對測量結(jié)果中幾何尺寸影響的自動修正,顯著提高了測量精度。這種方法尤其適用于各種形狀的薄膜和片狀材料,無需人工校正探針間距或邊界條件,簡化了測試流程。
測試原理高溫四探針測試儀采用四探針雙電組合測量方法,通過測量樣品表面的電位差和電流,計算出樣品的電阻率。在高溫環(huán)境下,隨著溫度的升高,純銅材料的原子熱運(yùn)動加劇,導(dǎo)致電阻率發(fā)生變化。通過測量不同溫度下的電阻率,可以計算出電阻率隨溫度變化的系數(shù)。
1、四探針測試儀具備一系列技術(shù)參數(shù),以確保精準(zhǔn)測量。首先,測量范圍廣泛,包括電阻率在10^-4至10^5 Ω.cm之間,方塊電阻覆蓋10^-3至10^6 Ω/□,電導(dǎo)率量程為10^-5至10^4 s/cm,電阻量程則為10^-4至10^5 Ω。
2、四探針法是一種非接觸式測量方法,通過施加電流并測量電壓來計算電阻率。測試儀通常由四個金屬探針組成,這些探針以一字形排列。在測量過程中,其中一個探針作為電流源,另一個探針作為電壓測量電極,另外兩個探針則用于測量電流和電壓。通過精確控制電流源和測量電壓,可以計算出半導(dǎo)體材料的電阻率。
3、技術(shù)參數(shù)方面,測試儀的測量范圍廣泛,電阻率可達(dá)0.0001~19000Ω·cm,方塊電阻在0.001~1900Ω·□之間。恒流源輸出電流在0.001~100mA,精度達(dá)到±0.05%。直流數(shù)字電壓表具有10μV的高靈敏度,基本誤差控制在±0.004%讀數(shù) + 0.01%滿度。供電為AC 220V±10% 50/60 Hz,功率為12W。
4、該設(shè)備的核心專利技術(shù)為“微移四探針頭”,其微移率在0.1~0.2%,這大大提升了測量的重復(fù)性和準(zhǔn)確性。當(dāng)與HQ-710E數(shù)據(jù)處理器配合使用時,能夠自動進(jìn)行硅片厚度、直徑和探針間距的校正,自動計算并輸出電阻率等數(shù)據(jù),極大地簡化了操作流程。
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