國(guó)產(chǎn)分立器件測(cè)試儀能夠測(cè)試的分立器件包括但不限于以下類型：二極管：包括普通二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管等各種類型的二極管，測(cè)試儀可以測(cè)量其正向電壓、反向漏電流等關(guān)鍵參數(shù)。晶體管：包括NPN型、PNP型等不同類型的晶體管，測(cè)試儀能夠測(cè)量其放大倍數(shù)、飽和電壓、截止電流等參數(shù)。
1、檢測(cè)三腳肖特基二極管的好壞 ①使用指針式萬(wàn)用表檢測(cè)：將萬(wàn)用表調(diào)至“R×1”擋位，黑表筆接正極，紅表筆接負(fù)極。正常情況下，正向電阻值應(yīng)為5~5Ω，反向電阻值應(yīng)為無(wú)窮大。如果正向和反向電阻值都無(wú)窮大或接近0，表明肖特基二極管可能開路或被擊穿。
2、為了確保二極管能夠正常工作，建議進(jìn)行兩次測(cè)量，一次按照上述正向連接的方式，另一次則反向連接。如果兩次測(cè)量的結(jié)果均顯示幾百歐姆左右的阻值，那么可以確認(rèn)二極管是良好的。反之，如果兩次測(cè)量結(jié)果都顯示高阻值，則二極管可能存在故障。
3、測(cè)量肖特基二極管好壞的常用方法包括以下幾種：二極管測(cè)試儀：使用專門的二極管測(cè)試儀進(jìn)行測(cè)量，可以得到二極管的電壓、電流等參數(shù)，并根據(jù)這些參數(shù)判斷二極管是否正常。示波器：將肖特基二極管接入示波器電路中，觀察輸出波形，如果輸出波形異?；驘o(wú)法產(chǎn)生輸出，則可能存在故障。
4、檢測(cè)肖特基和快恢復(fù)二極管好壞的方法如下：快恢復(fù)二極管檢測(cè)方法- 使用萬(wàn)用表：將萬(wàn)用表調(diào)至Rx1k檔，首先測(cè)量正向電阻，正常情況下應(yīng)為數(shù)千歐姆；然后測(cè)量反向電阻，應(yīng)為無(wú)窮大。- 切換檔位再次測(cè)量：將萬(wàn)用表切換至Rx1檔，再次測(cè)量正向電阻，此時(shí)應(yīng)下降到幾歐姆，反向電阻保持不變。
場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的使用方法主要包括以下步驟：準(zhǔn)備階段：確保安全：在使用前，確保Idm和高壓開關(guān)處于OFF狀態(tài)，以保證操作安全。塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試：連接測(cè)試設(shè)備：連接測(cè)試盒和專用測(cè)試線。設(shè)置Idss開關(guān)：根據(jù)被測(cè)管的特性，如MOS管選擇250uA電流，IGBT選擇1mA，將Idss開關(guān)設(shè)置好。
對(duì)于塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試：連接測(cè)試盒和專用測(cè)試線，根據(jù)被測(cè)管的特性（如MOS管選擇250uA電流，IGBT選擇1mA），將Idss開關(guān)設(shè)置好。將高壓開關(guān)撥至ON，調(diào)整高壓電位器至被測(cè)器件擊穿電壓的130%~150%，測(cè)試時(shí)，擊穿指示燈亮表示電壓足夠，然后測(cè)量VDSS和VGS（th）。
測(cè)量k1120場(chǎng)效應(yīng)管步驟。將測(cè)試儀的輸入檔位設(shè)置為源極-漏極，并將其電容檔位設(shè)置為測(cè)量。將測(cè)試儀的漏極檔位調(diào)節(jié)到最小，以確保測(cè)試儀沒(méi)有受到外界電磁干擾。將測(cè)試儀的源極檔位調(diào)節(jié)到最大，并將測(cè)試儀的電壓檔位設(shè)置為測(cè)量。
用場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀。場(chǎng)效應(yīng)管測(cè)試儀的使用方法：打開電源開關(guān)前應(yīng)檢查：Idm開關(guān)和高壓開關(guān)應(yīng)撥在OFF 位置上。塑封功率場(chǎng)效應(yīng)管的測(cè)試： 按第五條：“測(cè)試盒和附加測(cè)試線”的說(shuō)明，連接好場(chǎng)效應(yīng)管專用測(cè)試盒和專用的兩根粗的附加測(cè)試線。
輕插輕拔：測(cè)試盒的插座易損，使用時(shí)需輕插輕拔以延長(zhǎng)壽命。處理管腳粗糙的器件：對(duì)于管腳粗糙的器件，應(yīng)先處理后再進(jìn)行測(cè)試，推薦使用測(cè)試線。更換插座：儀器附件中的插座可自行更換，通用性強(qiáng)，損壞后可在電子市場(chǎng)購(gòu)買。
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