在選擇隔離驅(qū)動器時(shí)，CMTI參數(shù)是判斷不同類型驅(qū)動器性能的重要依據(jù)。通過比較不同驅(qū)動器的CMTI參數(shù)，可以選擇最適合系統(tǒng)需求的驅(qū)動器類型。綜上所述，CMTI參數(shù)在隔離驅(qū)動器選型中起著至關(guān)重要的作用，它決定了設(shè)備在面對瞬態(tài)干擾時(shí)的穩(wěn)定性和可靠性，是確保系統(tǒng)高效、安全運(yùn)行的關(guān)鍵因素。
1、NSi6601是一款專為驅(qū)動IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET設(shè)計(jì)的單通道隔離式柵極驅(qū)動器。其主要特點(diǎn)和優(yōu)勢如下：獨(dú)立輸出控制：NSi6601具有獨(dú)立輸出，能夠分別控制信號的上升和下降時(shí)間，提供最高5A/5A的拉灌電流能力。
2、NSi6601是一款單通道隔離式柵極驅(qū)動器，專為驅(qū)動IGBT、功率MOSFET和SiC MOSFET設(shè)計(jì)。它具有獨(dú)立輸出，分別控制上升和下降時(shí)間，提供最高5A/5A的拉灌電流能力。該驅(qū)動器支持SOP8（150 mil）或SOP8（300 mil）封裝，根據(jù)UL1577標(biāo)準(zhǔn)可提供3000VRMS或5700VRMS隔離度。
改進(jìn)電路1：在驅(qū)動電阻上反并聯(lián)了一個(gè)二極管。當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，關(guān)斷電流就會流經(jīng)二極管Doff，這樣MOS管gs的電壓就為二極管的導(dǎo)通壓降（一般為0.7V），遠(yuǎn)小于MOS的門檻電壓（一般為5V以上），有效地避免了MOS的誤開通。改進(jìn)電路2：在驅(qū)動電路上加入了一個(gè)開通二極管Don和關(guān)斷三級管Qoff。
絕緣電壓要高于MOS管額定電壓的兩倍。共模瞬態(tài)抑制能力需能有效抵擋電路中的dV/dt沖擊。綜上所述，MOS管驅(qū)動電路的設(shè)計(jì)涉及多個(gè)關(guān)鍵方面，包括參數(shù)設(shè)計(jì)、寄生電容的管理、驅(qū)動電阻的計(jì)算、電路改進(jìn)以及驅(qū)動芯片的選擇。電子工程師在設(shè)計(jì)時(shí)需要綜合考慮這些因素，以確保電路的性能、穩(wěn)定性和可靠性。
這是一個(gè)驅(qū)動“普通”MOS管的電路，它需要在柵極上至少有10V電壓才能完全導(dǎo)通。這種電路通常用于驅(qū)動大功率負(fù)載。使用集成MOS管低側(cè)驅(qū)動器控制MOS管 這是使用集成驅(qū)動器NCP81074A控制MOS管的電路。這種驅(qū)動器使用內(nèi)部邏輯電平電路從微控制器獲取邏輯電平輸入，并打開/關(guān)閉MOS管。
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