btb16-600b怎么測(cè)?

1、BTB16-600B可控硅管腳朝下，字面朝自已，從左到右分別為控制極，陽(yáng)極，陰極，用指針萬(wàn)用表1檔，黑筆接陽(yáng)極，紅筆接陰極，此時(shí)指針不偏轉(zhuǎn)（阻值無(wú)窮大），再用一根導(dǎo)線接觸一下控制極和陽(yáng)極，指針會(huì)偏轉(zhuǎn)并一直保持固定讀數(shù)，就可以認(rèn)為是好的可控硅，可正常使用，否則就是壞的。

晶閘管“正向阻斷”和“反向阻斷”的含義有何不同?

1、晶閘管的正向阻斷和反向阻斷是指在不同的工作狀態(tài)下，晶閘管的阻斷能力不同。根據(jù)查詢相關(guān)公開(kāi)信息顯示：晶閘管是一種半導(dǎo)體器件，具有單向?qū)щ娦?，只能在正向電壓下?dǎo)通，而在反向電壓下阻斷。正向阻斷是指在晶閘管導(dǎo)通狀態(tài)下，當(dāng)正向電壓降低到一定程度時(shí)，晶閘管會(huì)自動(dòng)斷開(kāi)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電路的阻斷。

2、晶閘管是一種電力電子器件，具有多種參數(shù)，包括額定通態(tài)平均電流、正向阻斷峰值電壓、反向阻斷峰值電壓、觸發(fā)電壓、維持電流、封裝類型、觸發(fā)角、開(kāi)關(guān)速度等。這些參數(shù)直接影響晶閘管的使用情況和性能表現(xiàn)。額定通態(tài)平均電流指的是在一定條件下，陽(yáng)極-陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。

3、反向阻斷：在反向電壓下，IGBT同樣處于阻斷狀態(tài)，防止電流反向流動(dòng)。 正向?qū)ǎ寒?dāng)柵極電壓達(dá)到閾值電壓時(shí)，MOSFET部分導(dǎo)通，為PNP晶體管提供基極電流，從而觸發(fā)PNP晶體管的導(dǎo)通。通過(guò)電子與空穴在N漂移區(qū)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)，大幅降低導(dǎo)通壓降，實(shí)現(xiàn)正向?qū)?。然而，寄生晶閘管結(jié)構(gòu)可能導(dǎo)致閂鎖效應(yīng)，需采取措施防止。

晶閘管怎么測(cè)量好壞

晶閘管好壞的測(cè)量可以通過(guò)以下方法進(jìn)行。 萬(wàn)用表電阻測(cè)量法：使用萬(wàn)用表的電阻檔，分別測(cè)量晶閘管陽(yáng)極（A）與陰極（K）之間、陽(yáng)極與門極（G）之間、門極與陰極之間的電阻。

另一種方法是尋求電器方面的專業(yè)人士幫助。他們可以通過(guò)專業(yè)的測(cè)試設(shè)備，準(zhǔn)確地判斷晶閘管的狀態(tài)。通常情況下，專業(yè)人士會(huì)使用萬(wàn)用表等工具，對(duì)晶閘管進(jìn)行一系列測(cè)試，包括測(cè)量正向和反向的電阻值，以判斷晶閘管是否完好。

用戶可以用萬(wàn)用表測(cè)量晶閘管的好壞，萬(wàn)用表選電阻R*1Ω擋，用紅、黑兩表筆分別測(cè)任意兩引腳間正反向電阻直至找出讀數(shù)為數(shù)十歐姆的一對(duì)引腳，此時(shí)黑表筆的引腳為控制極G，紅表筆的引腳為陰極K，另一空腳為陽(yáng)極A。將黑表筆接已判斷了的陽(yáng)極A，紅表筆仍接陰極K。此時(shí)萬(wàn)用表指針應(yīng)不動(dòng)。

判斷晶閘管好壞的方法有：（1） 用萬(wàn)用表可以初步判斷好壞，如上面講的各極間的阻值狀況。（2） 用6V電源（干電池或直流穩(wěn)壓電源）作為陽(yáng)極電源，接成如圖2-4所示的線路，如果按下開(kāi)關(guān)Q后，燈亮，說(shuō)明管子是好的。（3） 用晶體管圖示儀測(cè)量管子正反向伏安特性。

判斷晶閘管好壞的方法多種多樣，其中使用萬(wàn)用表測(cè)量是較為簡(jiǎn)便且常用的一種手段。具體方法如下：首先，測(cè)量普通晶閘管陽(yáng)極A與陰極K之間的正反向電阻，若兩者均為無(wú)窮大，說(shuō)明晶閘管狀態(tài)正常。若測(cè)得阻值為零或較小，則表明晶閘管內(nèi)部可能已發(fā)生短路或漏電，需進(jìn)一步檢查。

這樣就給G極加上一觸發(fā)電壓。這時(shí)由萬(wàn)用表可以看到阻值明顯變小，表明晶閘管可能由于觸發(fā)而 處于導(dǎo)通狀態(tài)。接著，在保持黑表筆和A極相接、紅表筆和K極相接的情況下，斷開(kāi)和G極的接觸，如果晶閘管仍保持低阻導(dǎo)通狀態(tài)，則說(shuō)明晶閘管是好的，否則，一般是晶閘管已壞。