1、LED的電參數(shù)是指正向壓降、正向電流、反向漏電流、反向擊穿電壓等，LED的光參數(shù)是指光通量、光效率、輻射角等，LED還有色參數(shù)，如色品坐標(biāo)、色溫、波長、顯色指數(shù)等。這些參數(shù)可用LED色光電測試儀測量，儀器一套1至10萬元不等，根據(jù)不同的用途選用不同的配置，價格相差很大。
一般情況下，普通的靜電放電不會擊穿LED。以下是具體原因：反向電壓低：LED的反向電壓承受能力相對較低，通常僅為5V左右。這意味著，需要相當(dāng)高的電壓才能對LED造成擊穿損害。靜電放電水平：雖然靜電放電可能產(chǎn)生較高的電壓，但在大多數(shù)情況下，其放電電壓和能量并不足以達(dá)到擊穿LED的水平。
要使LED被靜電擊穿并造成永久損壞，需要較高的電壓和一定的電流，而日常生活中遇到這樣條件的靜電概率很低。以下是具體分析：電壓要求：LED作為二極管，其反向耐壓能力一般在十幾到二十幾伏特之間。原則上，要使LED擊穿，靜電電壓需要大于這個范圍。
反向擊穿電壓：對二極管施加反向電壓時，當(dāng)PN結(jié)發(fā)生齊納或雪崩擊穿、并且反向電流達(dá)到規(guī)定的數(shù)值時，此時對應(yīng)的電壓就叫反向擊穿電壓。LED通常不會使用在有反向電壓出現(xiàn)的場合，所以芯片廠商就忽略了反向擊穿電壓這個參數(shù)。他們只考慮到漏電對發(fā)光和芯片質(zhì)量的影響。而漏電通過正向施壓是無法區(qū)分的。
綁定不良 芯片電極缺損、氧化、污染；綁定機(jī)調(diào)整不當(dāng)；線材質(zhì)量不好。靜電擊穿 生產(chǎn)設(shè)備與人員均需做靜電瀉放處理，任何環(huán)節(jié)有疏漏都可能 照成LED芯片界面被靜電破壞。制程溫控不當(dāng) 烘干、老化過程中溫度及時間掌握不當(dāng)，致使芯片遭破壞。
Led燈就是高亮度發(fā)光二極管，反向擊穿電壓很低。雷電的感應(yīng)電壓都在千伏以上，雖說電流較小，對Led燈來說也是致命的，造成不可恢復(fù)的傷害。建議廠家在燈內(nèi)裝高電壓吸收元件，杜絕此類情況發(fā)生。
用晶體管測試儀，調(diào)恒流模式，對整串芯片打高壓，當(dāng)其中某串電壓較低時，判定其中有某顆芯片已漏電。例如：對電流全調(diào)0.1uA，假定在這種情況下對芯片不會有損傷，或者可以把電流降得更低，然后對芯片反向加壓，當(dāng)電流出現(xiàn)時，查看當(dāng)時的電壓，一般電壓如果都能在比如5V*3串，15V以上的情況，便能說明這串燈珠沒有問題。
你需要一個半導(dǎo)體圖示儀，把檔位調(diào)到AC（交流），電流調(diào)到2mA每格，電壓1V每格，然后將LED插上去，慢慢增加電流及電壓，I/V特性曲線就出現(xiàn)在你面前了。然后你就根據(jù)半導(dǎo)體圖示儀上的曲線讀數(shù)就是了。
解決方案 通過EMMI定位漏電點(diǎn)，對于漏電流較小的，使用分辨率更高的OBIRCH定位。當(dāng)EMMI/OBIRCH均不能定位時，利用顯微光熱分布測試系統(tǒng)測試光分布和熱分布，異常位置為漏電點(diǎn)。最后，通過FIB對漏電點(diǎn)精確切片，使用SEM表征測試分析原因。案例分析 客戶送測紅光LED死燈樣品，經(jīng)電性測試確認(rèn)為芯片漏電。
CP測試的定義 CP測試是在晶圓制作完成之后，對成千上萬的裸DIE（未封裝的芯片）進(jìn)行的基本器件參數(shù)測試。這些參數(shù)包括但不限于Vt（閾值電壓）、Rdson（導(dǎo)通電阻）、BVdss（源漏擊穿電壓）、Igss（柵源漏電流）、Idss（漏源漏電流）等。
潮態(tài)測試：測試燈具在潮濕環(huán)境下的性能穩(wěn)定性。耐壓測試：測試燈具的絕緣性能。漏電流測試：測試燈具在工作狀態(tài)下的漏電流情況。耐久測試：測試燈具在長時間使用下的性能穩(wěn)定性。這些測試標(biāo)準(zhǔn)和項目旨在確保LED燈具在安全性、性能和可靠性方面符合UL認(rèn)證的要求，從而獲得美國消費(fèi)者的信賴和市場的準(zhǔn)入資格。
LED模組漏電流指的是模組在關(guān)閉狀態(tài)或者非工作狀態(tài)下，模塊電源兩極間存在的微小電流。這個電流主要是由于二極管或其他元器件的反向電流、電容的放電電流以及電路板上的微小電導(dǎo)效應(yīng)引起的。高漏電流可能會導(dǎo)致LED模組功耗增加，甚至引發(fā)安全問題。因此，在生產(chǎn)和測試階段，制造商會嚴(yán)格控制模組的漏電流。
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